VBMB16R08
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB16R08
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面结构技术， 适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 600V； 8A； RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
VBMB16R08参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VBMB16R08概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面结构技术， 适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 600V； 8A； RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBMB16R08特性
暂无产品特性。
VBMB16R08应用领域
暂无应用领域。