VBMB165R18
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB165R18
TO220F； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
40
货期
现货
VBMB165R18参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
VBMB165R18概述
TO220F； N—Channel沟道, 650V； 18A； RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBMB165R18特性
暂无产品特性。
VBMB165R18应用领域
暂无应用领域。