VBMB165R12
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB165R12
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面工艺制造， 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
46
货期
现货
VBMB165R12参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
VBMB165R12概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面工艺制造， 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
VBMB165R12特性
暂无产品特性。
VBMB165R12应用领域
暂无应用领域。