VBMB1638
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB1638
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 具有高压、高电流的特点， 适用于多种功率电路设计。 TO220F； N—Channel沟道, 60V； 45A； RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
2
货期
现货
VBMB1638参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBMB1638概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 具有高压、高电流的特点， 适用于多种功率电路设计。 TO220F； N—Channel沟道, 60V； 45A； RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBMB1638特性
暂无产品特性。
VBMB1638应用领域
暂无应用领域。