VBMB1311
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB1311
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种领域和模块， 特别适用于电动车辆、工业电源和高性能电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO220F； N—Channel沟道, 30V； 68A, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
6
货期
现货
VBMB1311参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
VBMB1311概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种领域和模块， 特别适用于电动车辆、工业电源和高性能电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO220F； N—Channel沟道, 30V； 68A, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
VBMB1311特性
暂无产品特性。
VBMB1311应用领域
暂无应用领域。