VBMB1204N
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB1204N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 200V； 45A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V, VGS=25V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
15
货期
现货
VBMB1204N参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
VBMB1204N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 200V； 45A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V, VGS=25V； Vth=2.5~4.5V
VBMB1204N特性
暂无产品特性。
VBMB1204N应用领域
暂无应用领域。