VBMB1203M
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB1203M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型MOSFET， 具有可靠的性能和高质量的制造， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。 TO220F； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
6
货期
现货
VBMB1203M参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
VBMB1203M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N型MOSFET， 具有可靠的性能和高质量的制造， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。 TO220F； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBMB1203M特性
暂无产品特性。
VBMB1203M应用领域
暂无应用领域。