VBMB1105
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB1105
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶硅器件, 采用Trench技术， 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 TO220F； N—Channel沟道, 100V； 120A； RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
VBMB1105参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
VBMB1105概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶硅器件, 采用Trench技术， 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 TO220F； N—Channel沟道, 100V； 120A； RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~3.5V
VBMB1105特性
暂无产品特性。
VBMB1105应用领域
暂无应用领域。