VBM2658
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM2658
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于不同电子应用领域。 TO220； P—Channel沟道, -60V； -45A； RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
50
货期
现货
VBM2658参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
VBM2658概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于不同电子应用领域。 TO220； P—Channel沟道, -60V； -45A； RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBM2658特性
暂无产品特性。
VBM2658应用领域
暂无应用领域。