VBM2609
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM2609
TO220； P—Channel沟道, -60V； -90A； RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款单P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于电动工具、LED照明和电源逆变器等多个领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
8
货期
现货
VBM2609参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
VBM2609概述
TO220； P—Channel沟道, -60V； -90A； RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款单P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于电动工具、LED照明和电源逆变器等多个领域和模块。
VBM2609特性
暂无产品特性。
VBM2609应用领域
暂无应用领域。