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VBM2309
IC

ITO-220AB-3

可供量大可议

VBM2309

台积电流片, 长电科技封装; 是一款功率MOSFET, 采用了Trench技术, 具有优良的性能和稳定性。 适用于各种功率电路和模块, 能够在高压和高电流下稳定工作。 TO220; P—Channel沟道, -30V; -70A; RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

ITO-220AB-3

库存

7

货期

现货

VBM2309参数

封装ITO-220AB-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

VBM2309概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款功率MOSFET, 采用了Trench技术, 具有优良的性能和稳定性。 适用于各种功率电路和模块, 能够在高压和高电流下稳定工作。 TO220; P—Channel沟道, -30V; -70A; RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

VBM2309特性

暂无产品特性。

VBM2309应用领域

暂无应用领域。

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