VBM2102M
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM2102M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效晶体管， 采用Trench技术， 具有较低的导通电阻和较高的开关速度， 适用于多种电源控制和开关应用。 TO220； P—Channel沟道, -100V； -18A； RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
6
货期
现货
VBM2102M参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
VBM2102M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效晶体管， 采用Trench技术， 具有较低的导通电阻和较高的开关速度， 适用于多种电源控制和开关应用。 TO220； P—Channel沟道, -100V； -18A； RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
VBM2102M特性
暂无产品特性。
VBM2102M应用领域
暂无应用领域。