VBM18R12S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM18R12S
TO220； N—Channel沟道, 800V； 12A； RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
5
货期
现货
VBM18R12S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBM18R12S概述
TO220； N—Channel沟道, 800V； 12A； RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBM18R12S特性
暂无产品特性。
VBM18R12S应用领域
暂无应用领域。