VBM18R06S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM18R06S
TO220； N—Channel沟道, 800V； 6A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
2
货期
现货
VBM18R06S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBM18R06S概述
TO220； N—Channel沟道, 800V； 6A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBM18R06S特性
暂无产品特性。
VBM18R06S应用领域
暂无应用领域。