VBM17R11SE
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM17R11SE
台积电流片， 长电科技封装； TO220； N—Channel沟道； 650V； 12A； RDS(ON)=360(mΩ)； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
10
货期
现货
VBM17R11SE参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBM17R11SE概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220； N—Channel沟道； 650V； 12A； RDS(ON)=360(mΩ)； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用SJ_Multi-EPI技术
VBM17R11SE特性
暂无产品特性。
VBM17R11SE应用领域
暂无应用领域。