VBM16R32S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM16R32S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型半导体器件， 采用了SJ_Multi-EPI技术， 具有高性能和稳定性， 适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 600V； 32A； RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
5
货期
现货
VBM16R32S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBM16R32S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型半导体器件， 采用了SJ_Multi-EPI技术， 具有高性能和稳定性， 适用于工业电力系统、太阳能和风能转换器、汽车电子、逆变器模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 600V； 32A； RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBM16R32S特性
暂无产品特性。
VBM16R32S应用领域
暂无应用领域。