VBM16R02
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM16R02
TO220； N—Channel沟道, 600V； 2A； RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N沟道， 适用于低功耗电子设备、自动化控制等领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
10
货期
现货
VBM16R02参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBM16R02概述
TO220； N—Channel沟道, 600V； 2A； RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N沟道， 适用于低功耗电子设备、自动化控制等领域和模块。
VBM16R02特性
暂无产品特性。
VBM16R02应用领域
暂无应用领域。