VBM165R12
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM165R12
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=580mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
89
货期
现货
VBM165R12参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
VBM165R12概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=580mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
VBM165R12特性
暂无产品特性。
VBM165R12应用领域
暂无应用领域。