VBM165R11S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM165R11S
TO220； N—Channel沟道, 650V； 11A； RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFET， 适用于工业电源模块、电动汽车控制等领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
10
货期
现货
VBM165R11S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBM165R11S概述
TO220； N—Channel沟道, 650V； 11A； RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFET， 适用于工业电源模块、电动汽车控制等领域和模块。
VBM165R11S特性
暂无产品特性。
VBM165R11S应用领域
暂无应用领域。