VBM165R07S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM165R07S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子领域和模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=610mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
25
货期
现货
VBM165R07S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
VBM165R07S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子领域和模块。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 7A； RDS(ON)=610mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
VBM165R07S特性
暂无产品特性。
VBM165R07S应用领域
暂无应用领域。