VBM165R02
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM165R02
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型功率MOSFET， 具有高性能和可靠性。 采用平面工艺（Plannar）， 适用于各种功率电子应用， 提供可靠的电气特性和稳定的性能。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
44
货期
现货
VBM165R02参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
VBM165R02概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型功率MOSFET， 具有高性能和可靠性。 采用平面工艺（Plannar）， 适用于各种功率电子应用， 提供可靠的电气特性和稳定的性能。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBM165R02特性
暂无产品特性。
VBM165R02应用领域
暂无应用领域。