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VBM1606
IC

ITO-220AB-3

可供量大可议

VBM1606

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。 TO220; N—Channel沟道, 60V; 120A; RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

ITO-220AB-3

库存

2

货期

现货

VBM1606参数

封装ITO-220AB-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

VBM1606概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道场效应晶体管, 采用Trench技术, 设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。 TO220; N—Channel沟道, 60V; 120A; RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

VBM1606特性

暂无产品特性。

VBM1606应用领域

暂无应用领域。

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