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VBM1307
IC

ITO-220AB-3

可供量大可议

VBM1307

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N), 采用Trench工艺制造。 适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。 TO220; N—Channel沟道, 30V; 70A; RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

品牌

VBsemi

封装

ITO-220AB-3

库存

12

货期

现货

VBM1307参数

封装ITO-220AB-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存12

VBM1307概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N), 采用Trench工艺制造。 适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。 TO220; N—Channel沟道, 30V; 70A; RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

VBM1307特性

暂无产品特性。

VBM1307应用领域

暂无应用领域。

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