VBM1208N
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1208N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 35A； RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
10
货期
现货
VBM1208N参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBM1208N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 35A； RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBM1208N特性
暂无产品特性。
VBM1208N应用领域
暂无应用领域。