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VBM1206
IC

ITO-220AB-3

可供量大可议

VBM1206

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N型场效应管, 采用Trench技术, 适用于高功率和高电流的应用场景。 TO220; N—Channel沟道, 20V; 100A; RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1.5V

品牌

VBsemi

封装

ITO-220AB-3

库存

53

货期

现货

VBM1206参数

封装ITO-220AB-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存53

VBM1206概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N型场效应管, 采用Trench技术, 适用于高功率和高电流的应用场景。 TO220; N—Channel沟道, 20V; 100A; RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1.5V

VBM1206特性

暂无产品特性。

VBM1206应用领域

暂无应用领域。

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