VBM1204N
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBM1204N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 50A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V, VGS=25V； Vth=3.5~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
20
货期
现货
VBM1204N参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
VBM1204N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 50A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V, VGS=25V； Vth=3.5~5V
VBM1204N特性
暂无产品特性。
VBM1204N应用领域
暂无应用领域。