VBM1201K
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1201K
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 5A； RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
2
货期
现货
VBM1201K参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBM1201K概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 5A； RDS(ON)=910mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBM1201K特性
暂无产品特性。
VBM1201K应用领域
暂无应用领域。