VBM1158N
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1158N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的Trench技术MOSFET， 适用于电源转换器、汽车电子、家用电器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 20A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3.5V
Brand
VBsemi
Package
ITO-220AB-3
Stock
3
货期
现货
VBM1158NParameters
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
VBM1158N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的Trench技术MOSFET， 适用于电源转换器、汽车电子、家用电器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 20A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3.5V
VBM1158N特性
暂无产品特性。
VBM1158N应用领域
暂无应用领域。