VBM1151N
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1151N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N沟道场效应管， 采用了Trench技术， 适用于多种领域和模块。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 100A； RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
7
货期
现货
VBM1151N参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
VBM1151N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N沟道场效应管， 采用了Trench技术， 适用于多种领域和模块。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 100A； RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=3~5V
VBM1151N特性
暂无产品特性。
VBM1151N应用领域
暂无应用领域。