VBM1105
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1105
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管， 适用于中功率的应用场合， 可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 120A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
9
货期
现货
VBM1105参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
VBM1105概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管， 适用于中功率的应用场合， 可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 120A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4V
VBM1105特性
暂无产品特性。
VBM1105应用领域
暂无应用领域。