VBM1102N
IC
ITO-220AB-3
可供量大可议
VBM1102N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块， 如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 70A； RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
ITO-220AB-3
库存
6
货期
现货
VBM1102N参数
| 封装 | ITO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
VBM1102N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块， 如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 70A； RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBM1102N特性
暂无产品特性。
VBM1102N应用领域
暂无应用领域。