VBL2610N
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
VBL2610N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 具备可靠性和性能稳定性。 适用于广泛的领域和模块， 包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等， 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。 TO263； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
3
货期
现货
VBL2610N参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
VBL2610N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 具备可靠性和性能稳定性。 适用于广泛的领域和模块， 包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等， 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。 TO263； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBL2610N特性
暂无产品特性。
VBL2610N应用领域
暂无应用领域。