VBL2205M
IC
TO-263
可供量大可议
VBL2205M
TO263； P—Channel沟道, -200V； -11A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款单P型Trench技术的MOSFET， 适用于多个电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
3
货期
现货
VBL2205M参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
VBL2205M概述
TO263； P—Channel沟道, -200V； -11A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款单P型Trench技术的MOSFET， 适用于多个电子领域和模块。
VBL2205M特性
暂无产品特性。
VBL2205M应用领域
暂无应用领域。