VBL18R07S
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
VBL18R07S
TO263； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
5
货期
现货
VBL18R07S参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBL18R07S概述
TO263； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款单N型MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子领域和模块。
VBL18R07S特性
暂无产品特性。
VBL18R07S应用领域
暂无应用领域。