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VBL165R01
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

VBL165R01

TO263; N—Channel沟道, 650V; 1.4A; RDS(ON)=8500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V; 是一款采用Plannar技术单N沟道场效应晶体管, 适用于电源逆变器模块、工业控制系统等领域和模块。

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

10

货期

现货

VBL165R01参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

VBL165R01概述

TO263; N—Channel沟道, 650V; 1.4A; RDS(ON)=8500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V; 是一款采用Plannar技术单N沟道场效应晶体管, 适用于电源逆变器模块、工业控制系统等领域和模块。

VBL165R01特性

暂无产品特性。

VBL165R01应用领域

暂无应用领域。

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