VBL1602
自营可供
IC
TO-263(D2PAK)
VBL1602
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench技术制造， 高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 270A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
交期
现货
批次
—
VBL1602参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品型号 | VBL1602 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00239 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 9nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:270A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
VBL1602概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Trench技术制造， 高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 270A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
VBL1602特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
VBL1602应用领域
- 电源开关-大电流应用中的负载开关-DC/DC转换器