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VBL1302
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

VBL1302

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电源逆变、汽车电子和工业电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO263; N—Channel沟道, 30V; 150A; RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

40

货期

现货

VBL1302参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存40

VBL1302概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单体N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于电源逆变、汽车电子和工业电源等需要高功率和高性能的应用场合。 TO263; N—Channel沟道, 30V; 150A; RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

VBL1302特性

暂无产品特性。

VBL1302应用领域

暂无应用领域。

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