VBL1101M
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
VBL1101M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
85
货期
现货
VBL1101M参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
VBL1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBL1101M特性
暂无产品特性。
VBL1101M应用领域
暂无应用领域。