VBJ2102M
IC
SOT-223
可供量大可议
VBJ2102M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于紧凑空间的应用。 SOT223； P—Channel沟道, -100V； -3A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
77
货期
现货
VBJ2102M参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 77 |
VBJ2102M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于紧凑空间的应用。 SOT223； P—Channel沟道, -100V； -3A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V
VBJ2102M特性
暂无产品特性。
VBJ2102M应用领域
暂无应用领域。