VBJ1158N
IC
SOT-223
可供量大可议
VBJ1158N
SOT223； N—Channel沟道, 150V； 6.5A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
243
货期
现货
VBJ1158N参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 243 |
VBJ1158N概述
SOT223； N—Channel沟道, 150V； 6.5A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
VBJ1158N特性
暂无产品特性。
VBJ1158N应用领域
暂无应用领域。