VBJ1101M
IC
SOT-223
可供量大可议
VBJ1101M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道型器件， 采用Trench工艺制造， 适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 100V； 5A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
127
货期
现货
VBJ1101M参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 127 |
VBJ1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道型器件， 采用Trench工艺制造， 适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 100V； 5A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
VBJ1101M特性
暂无产品特性。
VBJ1101M应用领域
暂无应用领域。