VBI2260
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI2260
SOT89-3； P—Channel沟道, -200V； -1.8A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2.5~-4.5V； 是一款采用Trench技术单P型场效应晶体管， 适用于多个电子领域和模块中。
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
10
货期
现货
VBI2260参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBI2260概述
SOT89-3； P—Channel沟道, -200V； -1.8A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2.5~-4.5V； 是一款采用Trench技术单P型场效应晶体管， 适用于多个电子领域和模块中。
VBI2260特性
暂无产品特性。
VBI2260应用领域
暂无应用领域。