VBI2201K
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI2201K
SOT89-3； P—Channel沟道, -200V； -1.8A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2.5~-4.5V； 是一款采用Trench技术单路P型MOSFET， 适用于需要P型MOSFET的高压、高功率和高性能电子模块中。
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
10
货期
现货
VBI2201K参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBI2201K概述
SOT89-3； P—Channel沟道, -200V； -1.8A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2.5~-4.5V； 是一款采用Trench技术单路P型MOSFET， 适用于需要P型MOSFET的高压、高功率和高性能电子模块中。
VBI2201K特性
暂无产品特性。
VBI2201K应用领域
暂无应用领域。