VBI2102M
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI2102M
SOT89-3； P—Channel沟道, -100V； -3A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款采用Trench技术高性能单P型场效应晶体管， 适用于手持式电子设备模块、无线通信模块等领域。
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
40
货期
现货
VBI2102M参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
VBI2102M概述
SOT89-3； P—Channel沟道, -100V； -3A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款采用Trench技术高性能单P型场效应晶体管， 适用于手持式电子设备模块、无线通信模块等领域。
VBI2102M特性
暂无产品特性。
VBI2102M应用领域
暂无应用领域。