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VBI1695
IC

SOT-89

可供量大可议

VBI1695

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3; N—Channel沟道, 60V; 5.5A; RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

品牌

VBsemi

封装

SOT-89

库存

660

货期

现货

VBI1695参数

封装SOT-89
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存660

VBI1695概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3; N—Channel沟道, 60V; 5.5A; RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

VBI1695特性

暂无产品特性。

VBI1695应用领域

暂无应用领域。

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