VBI1322G
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI1322G
SOT89-3； N—Channel沟道, 30V； 6.8A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.6~1.5V； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
10
货期
现货
VBI1322G参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBI1322G概述
SOT89-3； N—Channel沟道, 30V； 6.8A； RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=0.6~1.5V； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。
VBI1322G特性
暂无产品特性。
VBI1322G应用领域
暂无应用领域。