VBI1201K
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI1201K
SOT89-3； N—Channel沟道, 200V； 2A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET， 适用于电源管理模块、LED驱动模块等电子应用。
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
10
货期
现货
VBI1201K参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBI1201K概述
SOT89-3； N—Channel沟道, 200V； 2A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=4.5V, VGS=20V； Vth=2~4V； 是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET， 适用于电源管理模块、LED驱动模块等电子应用。
VBI1201K特性
暂无产品特性。
VBI1201K应用领域
暂无应用领域。