VBI1101M
IC
SOT-89
可供量大可议
VBI1101M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。 SOT89-3； N—Channel沟道, 100V； 4.2A； RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
130
货期
现货
VBI1101M参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
VBI1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。 SOT89-3； N—Channel沟道, 100V； 4.2A； RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
VBI1101M特性
暂无产品特性。
VBI1101M应用领域
暂无应用领域。