VBGQA1805
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
VBGQA1805
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 85V； 80A； RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
10
货期
现货
VBGQA1805参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBGQA1805概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 85V； 80A； RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
VBGQA1805特性
暂无产品特性。
VBGQA1805应用领域
暂无应用领域。