VBGQA1202N
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
VBGQA1202N
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 200V； 50A； RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(5x6)
库存
4
货期
现货
VBGQA1202N参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
VBGQA1202N概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(5X6)； N—Channel沟道； 200V； 50A； RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
VBGQA1202N特性
暂无产品特性。
VBGQA1202N应用领域
暂无应用领域。